DELTACHIP
График работы
- ПонедельникВыходной
- Вторник09:0018:00
- Среда10:0018:00
- Четверг10:0018:00
- Пятница10:0018:00
- СубботаВыходной
- ВоскресеньеВыходной
Контакты
+7 (727) 272-87-24
+7 (727) 272-97-98
+7 (727) 261-03-04
IRFBE30 Транзистор MOSFET N канальный 800V 4.1A 33ns 125W TO-220AB
300 ₸
- В наличии
- Код: IRFBE 30 TO-220AB
IRFBE30 Транзистор MOSFET N канальный 800V 4.1A 33ns 125W TO-220ABВ наличии
300 ₸
+77272610304
- +7 (727) 272-87-24№1 LED, R, Varta, конденсаторы
- +7 (727) 272-97-98№2 Инструмент, автоматика, разъем
- +7 (727) 261-03-04№4 Блоки питания,Микросхемы,Тран
Описание
Характеристики
IRFBE30 MOSFET
Наименование прибора: IRFBE30
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.1 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | PD |
Информация для заказа
- Цена: 300 ₸