IRFH5306 MOSFET
Наименование прибора: IRFH5306
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.8 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0081 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6