IRFI830G Транзистор MOSFET N канальный 500V 3.1V 16ns 35W TO-220FP

Наименование прибора: IRFI830G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.1 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 38(max) nC

Время нарастания (tr): 16 ns

Выходная емкость (Cd): 160 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: ТО220F