3 700 ₸
Наименование: FGD3040G2-F085
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150
Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400
Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10
Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 41
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15
Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.2
Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175
Время нарастания типовое (tr), nS: 1900
Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 21
Тип корпуса: DPAK
Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29
Основные | |
---|---|
Производитель | SAT |