FGD3040 Транзистор IGBT N канальный 400V 41A 1900ns 150W TO-252

FGD3040G2

Наименование: FGD3040G2-F085

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 150

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 400

Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 10

Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 41

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 1.15

Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер |VGE(th)|, V: 2.2

Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 175

Время нарастания типовое (tr), nS: 1900

Общий заряд затвора (Qg), typ, nC: 21

Тип корпуса: DPAK

Стоимость и наличии уточняйте по телефону +7 (727) 261-64-29