750 ₸
IRLR3705Z — это логический уровень HEXFET® N-канальный MOSFET от Infineon/International Rectifier, разработанный для автомобильных и промышленных применений. Он отличается низким сопротивлением открытого канала (RDS(on) ≈ 8 мΩ), высокой допустимой силой тока (до 89 А при 25°C) и напряжением сток-исток 55 В.
IRLR3705Z — мощный MOSFET транзистор, оптимизированный для работы с логическими уровнями управления (VGS = 4.5–10 В). Использует технологию HEXFET®, обеспечивающую низкие потери и высокую эффективность. Применяется в автомобильной электронике, источниках питания, преобразователях и системах управления двигателями.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | N-канальный HEXFET® Power MOSFET |
| Корпус | D-Pak (TO-252) |
| VDSS (напряжение сток-исток) | 55 В |
| RDS(on) (сопротивление канала при VGS=10 В) | 8.0 мΩ |
| ID (макс. ток стока при TC=25°C, кремний ограничен) | 89 А |
| ID (макс. ток стока при TC=100°C) | 63 А |
| ID (ограничение корпуса при TC=25°C) | 42 А |
| VGS (макс. напряжение затвор-исток) | ±20 В |
| Ptot (макс. мощность рассеяния при TC=25°C) | 110 Вт |
| Tj (рабочая температура перехода) | до 175°C |
| Qg (заряд затвора, тип.) | ~67 нКл |
| t(on)/t(off) (время включения/выключения) | быстрые, <100 нс |
Логический уровень управления — подходит для прямого управления от микроконтроллеров.
Ультранизкое сопротивление канала — минимизация тепловых потерь.
Высокая температура работы (до 175°C) — надежность в автомобильных условиях.
Быстрое переключение — эффективен в импульсных источниках питания и преобразователях.
Разрешён повторяющийся лавинный режим — устойчивость к перегрузкам.
Автомобильные системы (ABS, ECU, электроприводы).
Импульсные источники питания.
DC-DC преобразователи.
Управление двигателями и нагрузками высокой мощности.