IRLU120N PBF Транзистор MOSFET N канальный 100V 10A 35ns 48W TO-251

IRLU120N MOSFET

Наименование прибора: IRLU120N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20(max) nC

Время нарастания (tr): 35 ns

Выходная емкость (Cd): 97 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.185 Ohm

Тип корпуса: TO251