3 500 ₸
Транзистор IRG4BC40UPBF — это мощный IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, оптимизированный для работы на высоких частотах в режимах жёсткого и резонансного переключения. Он относится к 4-му поколению IGBT, обеспечивая более узкий допуск параметров, повышенную эффективность и надёжность по сравнению с предыдущими версиями.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | IGBT, N-канальный |
| Максимальное напряжение VCE | 600 В |
| Постоянный ток коллектора IC | 40 А |
| Импульсный ток коллектора ICM | до 80 А |
| Напряжение насыщения VCE(sat) | ~2.4 В при 25°C |
| Напряжение затвор-эмиттер VGE | ±20 В |
| Мощность рассеивания PD | до 160 Вт |
| Рабочая частота | 8–40 кГц (жёсткое переключение), >200 кГц (резонансный режим) |
| Корпус | TO-220AB |
| Температурный диапазон | –55°C до +150°C |
| Стиль монтажа | Сквозной (THT) |
| RoHS | Соответствует |
⚡ Оптимизирован для высокочастотных режимов — подходит для резонансных и жёстких переключений.
🔋 Высокий ток коллектора — надёжная работа при значительных нагрузках.
🔧 Корпус TO-220AB — удобен для установки с радиатором.
🔥 Широкий температурный диапазон — стабильная работа в промышленных условиях.
🧩 Совместимость с предыдущими поколениями — может использоваться как замена для IGBT 3-го поколения.
Источники питания
Сварочные аппараты
Индукционные нагреватели
Преобразователи и инверторы
Бытовая техника и HVAC-системы