Биполярный транзистор MJD117T4
Наименование производителя: MJD117T4
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6000
Корпус транзистора: TO252