50 ₸
BC850C — это маломощный высокочастотный NPN транзистор в корпусе SOT‑23, предназначенный для усилительных и коммутационных схем. Он отличается высоким коэффициентом усиления по току (hFE до 800) и граничной частотой до 150 МГц, что делает его удобным для применения в аудио, ВЧ и цифровых устройствах.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Тип | Биполярный транзистор, NPN |
| Материал | Кремний (Si) |
| Корпус | SOT‑23 (SMD) |
| Максимальное напряжение коллектор‑эмиттер (Uce) | 45 В |
| Максимальное напряжение коллектор‑база (Ucb) | 50 В |
| Максимальное напряжение эмиттер‑база (Ueb) | 5–6 В |
| Максимальный ток коллектора (Ic) | 100 мА |
| Рассеиваемая мощность (Pc) | 0.25–0.33 Вт |
| Коэффициент усиления по току (hFE) | 420–800 |
| Граничная частота (fT) | 150 МГц |
| Ёмкость коллекторного перехода (Cc) | ~4.5 пФ |
| Рабочая температура перехода (Tj) | до 150 °C |
| Комплементарная пара | BC860C (PNP) |
| Производители | Siemens, NXP, Infineon, ON Semiconductor |
🔧 Особенности и преимущества
Высокий коэффициент усиления — подходит для малосигнальных усилителей.
Высокая граничная частота — эффективен в ВЧ схемах и быстрых переключателях.
Низкий уровень шума — применим в аудио и чувствительных входных каскадах.
Компактный корпус SOT‑23 — удобен для поверхностного монтажа.
Усилительные каскады малой мощности.
ВЧ усилители и драйверы.
Коммутационные схемы в цифровой электронике.
Аудио входные каскады и малошумящие усилители.
Ic ограничен 100 мА, поэтому транзистор не подходит для мощных нагрузок.
Pc до 0.33 Вт — требует внимательного теплового расчёта при проектировании.
Группировка по hFE:
BC850A: 110–220
BC850B: 200–450
BC850C: 420–800 (наибольший коэффициент усиления).